لايوجد سلع في سلة المشتريات
| 0 السلع | $0.00 |
- اسم الكتاب
مبادئ الالكترونيات
مبادئ الالكترونيات
يعتبر موضوع الإلكترونيات وتطبيقاتها من المواضيع المهمة في عصرنا الحديث لما لها من أهمية في جميع الأجهزة الإلكترونية وبمختلف التطبيقات والإلكترونيات قابلة للتطوير والتحديث يومياً لأهميتها في الحياة العملية.
حرصنا في هذا الكتاب على شرح وتوضيح الموضوعات الرئيسية التي يحتاجها المختصين والمهتمين بالإلكترونيات وتطبيقاتها....... ونعتقد ان هذا الكتاب سيكون عونا قيماً للكليات الهندسية في تخصص الهندسة الكهربائية والإلكترونية وهندسة الحاسوب إضافة الى المعاهد التقنية الكهربائية الإلكترونية كما سيكون مرجعاً للمهتمين والباحثين في مجال الإلكترونيات حيث انه يحتوي على ما يحتاجه من أساسيات وتطبيقات في هذا المجال.
يحتوي الكتاب على اثنا عشر فصلاً في الفصل الأول تم توضيح إلكترونيات أشباه المواصلات والروابط الإلكترونية... وتم توضيح عمل الثنائي(diode) وعمله وتطبيقاته وأنواع الثنائيات ذات التطبيقات الخاصة في الفصل الثاني والثالث والرابع.
تم توضيح وبشكل تفصيلي عمل الترانزستور ثنائي الوصلة ((Bipolar Junction Transistor وعمله وخصائصه واستخداماته كمكبر ((Amplifier ومفتاح (Switch ( في الفصل الخامس وتضمن الفصل السادس طرق ودوائر انحياز الترانزستور (Transistor Bais Circuts) لضمان عمل الترانزستور بالشكل المطلوب.
وفي الفصل السابع تم شرح وتوضيح مكبرات ثنائية الوصلة (BJT Amplifiers) لكل أنواع ربط الترانزستور وهي مكبر القاعدة المشتركة (Common Base Amplifier ) مكبر الباعث المشترك (Common Emitter Amplifier) ومكبر الجامع المشترك ( Common Collector Amplifier) وكذلك مكبر متعدد المراحل (Multistage Amplifier).
أما ترانزستورات تأثير المجال (Field –effect Transistors) فهي موضحة في الفصل الثامن الذي يتضمن خصائص ترانزستور تأثير المجال وبارامتراته وانحيازه والأنواع المختلفة لترانزستور تأثير المجال (MOSFET) وخصائصها كما تم التطرق الى مكبرات ترانزستور تأثير المجال وبكافة أنواعه في الفصل التاسع.
أما الفصل العاشر فقد تضمن مكبرات القدرة (Power Amplifiers) وأصنافها وتحليل كل صنف وتطبيقاتها.
وفي الفصل الحادي عشر تم شرح وبشكل تفصيلي الاستجابة الترددية للمكبرات ( للترددات الواطئة والعالية ) وهي مكبرات ثنائية الوصلة (BJT Amplifier) ومكبرات ترانزستور تأثير المجال (FET Amplifiers) وكذلك الاستجابة الترددية لمكبر متعدد المراحل.....
وتطرقنا في الفصل الثاني عشر الى الترايرستور والداياك والتراياك وتطبيقاتها إضافة الى الترانزستورات الضوئية (photo transistors) وغيرها من الأجهزة التي نحتاجها في عملنا العلمي والعملي.
1. نظرية أشباه الموصلات
البناء الذري
مواد أشباه الموصلات
التيار في أشباه الموصلات
النوع P و النوع N أشباه الموصلات
وصلة الــ PN
الانحياز الامامي و العكسي للوصلة
دايودات الشوتكي
الاسئلة
2. الدايود كعنصر في الدائرة الكهربائية
المقدمة
الدايود كعنصر غير خطي
المقاومة المتناوبة و المستمرة
تحليل دوائر التيار المستمر المتضمنة على دايود
تحليل دوائر الدايود للإشارة الصغيرة
تحليل دوائر الدايود عند الإشارة الكبيرة
انواع الدايودات و خصائصها و مواصفاتها
الاسئلة
3. تطبيقات الثنائي
المقدمة
موحد نصف الموجة
موحدات الموجة الكاملة
موحد الموجة الكاملة ذو المأخذ المركزي
تأثير نسبة تحويل المحولة على الفولتية الخارجية
فولتية الذروة العكسية (PIV)
مقوم الموجة الكاملة القنطري
مرشحات و منظمات مصادرة القدرة
المرشح ذو متسعة الدخل
منظمات الدوائر المتكاملة
النسبة المئوية للتنظيم
دوائر الدايود في التقليم (التحديد ) و الإلزام
مضاعفات الجهد
مضاعف الجهد
مضاعف جهد الموجة الكاملة
المضاعف الثلاثي للجهد
مضاعف الجهد الرباعي
الاسئلة
4. دايودات الأغراض الخاصة
الزينر دايود
تطبيقات الزينر دايود
الدايودات السعوية (فاركتر)
الدايودات المشعة للضوء
انواع أخرى من الدايودات
الاسئلة
5. الترانزستور ثنائي الوصلة
المقدمة
التركيب الاساسي للترانزستور
أساسيات تشغيل الترانزستور
خصائص الترانزستور و معاملاته (البارامترات)
الترانزستور كمكبر
الترانزستور كمفتاح
تغليف الترانزستور و توضيح أطرافه
خلاصة الفصل
الاسئلة
6. دوائر انحياز الترانزستور
المقدمة
نقطة التشغيل ( العمل ) المستمرة
الانحياز المستمر
تحليل المنحنى
خط الحمل المستمر
التشغيل الخطي
انحياز مقسم الجهد
مقاومة الدخل عند قاعدة الترانزستور
تحليل دوائر انحياز مقسم الجهد
استقرارية انحياز مقسم الجهد
انحياز مقسم الجهد لترنزستور PNP
طرق اخرى للأنحياز
انحياز القاعدة
انحياز الباعث
انحياز التغذية العكسية للجامع
الاسئلة
7. مضخمات الترانزستور ثنائي الوصلة
المقدمة
مضخمات العمليات
الدائرة المكافئة للترانزستور للتيار المتناوب
مضخم الباعث المشترك
مضخم الجامع المشترك
مضخم القاعدة المشتركة
المضخم المتعددة المراحل
خلاصة الفصل
اختبار المعلومات
الاسئلة
8. ترانزستور تأثير المجال
المقدمة
ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلة
خواص ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلة وبارامتراته (عوامله)
انحياز ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلة
ترانزستور تأثير المجال ذو الاوكسيد المعدني ( MOSFET )
معاملات و خصائص الـ ( MOSFET ) المهمة
انحياز ترانزستور تأثير المجال ذو الاوكسيد المعدني ( MOSFET )
الاسئلة
9. مكبرات ترانزستور تأثير المجال
المقدمة
تضخيم ترانزستور تأثير المجال
مكبر المصدر المشترك
مكبرات الساحب المشترك
مكبرات البوابة المشتركة
الاسئلة
10.مكبرات القدرة
المقدمة
مكبرات القدرة من الصنف (A)
التبديد الحراري
نقطة الاشتغال المتمركزة
الربح بالقدرة
قدرة نقطة الاشتغال المستمرة
القدرة الخارجة
الكفاءة
مكبرات الدفع والسحب من الصنف ((B و الصنف AB ))
اشتغال الصنف (B)
عمليات اشتغال (الدفع والسحب) لمكبر من الصنف (B)
انحياز مكبر الدفع و السحب اثناء اشتغال مكبر من الصنف (AB)
مكبر الدفع و السحب أحادي المصدر
القدرة في الصنف (B), (AB)
مكبر الصنف (AB) من نوع زوج دارلنكتون
مكبرات الدفع و السحب الصنف (AB) من نوع Mosfft
مكبرات الصنف (C)
اشتغال الصنف (C)
تبديد القدرة
اشتغال التوليف
اقصى قدرة خارجة
مكبر الصنف (C) عند الانحياز الملزم
الاسئلة
11.الاستجابة الترددية للمكبر
مفاهيم اساسية
الديسيبل
استجابة المكبر للترددات الواطئة
الاستجابة الترددية العالية للمكبر
الاستجابة الترددية الواطئة الكلية للمكبر
الاستجابة الترددية للمكبرات متعددة المراحل
الاسئلة
12.الثايرستورات و اجهزة اخرى
المقدمة
دايود شوتكي
فولتية الايقاف الامامية
الموحد السلكوني المسيطرة عليه
الدائرة المكافئة للـSCR
تشغيل الـ SCR
اطفاء الـ SCR
خصائص الـ SCR
تطبيقات الـ SCR
المفتاح السلكوني المسيطرة عليه
الداياك و التراياك
الداياك
التراياك
التطبيقات
الترانزستور احادي الوصلة (UJI)
الدائرة المكافئة
تطبيقات الترانزستور احادي الوصلة
الترانزستور احادي الوصلة المبرمج (PUT)
الترانزستور الضوئي
زوج لنكتون دار الضوئي
تطبيقات الترنزستور الضوئي
الموحد السليكوني ذو الاثارة الضوئية
المزدوج الضوئي
اختبار المعلومات
الاسئلة
ملحق اشتقاق بعض المعادلات الاساسية
المصادر
كتب ذات صلة
